杂质半导体

若在純矽中摻雜（doping）少許的施子（即五價原子，最外層有5個電子的原子）如磷、砷、銻，施子的一個價電子就會成為自由電子，如此形成N型半導體，自由電子為N型半導體中導電的主要載子（多數載子）。

若在純矽中摻雜少許的受子（即三價原子，最外層有3個電子的原子）如硼、鋁、鎵、銦，就少了1個電子，而形成一個電洞（Hole，或稱電孔），如此形成P型半導體，電孔為P型半導體中導電的主要載子（多數載子）。

因摻雜前的本質半導體與雜質皆為電中性，摻雜後的外質半導體也為電中性。

文献

• Muller, Richard S.; Theodore I. Kamins. 2d. New York: Wiley. 1986. ISBN 978-0-471-88758-4. 引文使用过时参数coauthors (帮助)
• Sze, Simon M. . John Wiley and Sons（WIE）. 1981. ISBN 978-0-471-05661-4.

• 上冊：施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. . 臺灣: 國立交通大學. 2008-08-01 . ISBN 978-986-843-951-1 （中文）. 引文使用过时参数coauthors (帮助)（繁體中文）
• 下冊：施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. . 臺灣: 國立交通大學. 2009-04-14 . ISBN 978-986-843-954-2 （中文）. 引文使用过时参数coauthors (帮助)（繁體中文）

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引用

• Howstuffworks: How Semiconductors Work