PN结

1948年，威廉·肖克利的論文《半導體中的PN结和PN结型晶體管的理論》發表於貝爾實驗室內部刊物。肖克利在1950年出版的《半導體中的電子和空穴》中詳盡地討論瞭結型晶體管的原理，與約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓共同發明的點接觸型晶體管所採用的不同的理論。

掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含自由电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。

掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。

上面叙述的两种半导体在外加电场的情况下，会作定向运动。这种运动称为电子与空穴（统称“载流子”）的“漂移运动”，并产生“漂移电流”。

根据静电学，电子将作与外加电场相反方向的运动，并产生电流（根据传统定义，电流的方向与电子运动方向相反，即和外加电场方向相同）；而空穴的运动方向与外加电场相同，由于其可被看作是“正电荷”，将产生与电场方向相同的电流。

两种载流子的浓度越大，所产生的漂移电流越大。

由于某些外部条件而使半导体内部的载流子存在浓度梯度的时候，将产生扩散运动，即载流子由浓度高的位置向浓度低的位置运动。

采用一些特殊的工艺（见本条目后面的段落），可以将上述的P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起。在二者的接触面的位置形成一个PN结。

P型、N型半导体由于分别含有较高浓度的“空穴”和自由电子，存在浓度梯度，所以二者之间将产生扩散运动。即：

• 自由电子由N型半导体向P型半导体的方向扩散
• 空穴由P型半导体向N型半导体的方向扩散

载流子经过扩散的过程后，扩散的自由电子和空穴相互结合，使得原有的N型半导体的自由电子浓度减少，同时原有P型半导体的空穴浓度也减少。在两种半导体中间位置形成一个由N型半导体指向P型半导体的电场，称为“内电场”。

• 合金法
• 擴散法
• 離子注入法
• 外延生長法

PN结在没有外加电压情况下，跨结形成了电势差导致了平衡状态。该电势差称为内建电势（built-in potential）${\displaystyle V_{\rm {bi}}}$。

PN结的n区的电子向p区扩散，留下了正电荷在n区。类似地，p型空穴从p区向n区扩散，留下了负电荷在p区。进入了p区的电子与空穴复合，进入了n区的空穴与电子复合。其效果是扩散到对方的多数载流子（自由电子与空穴）都耗尽了，结区只剩下不可移动的带电离子，失去了电中性变为带电，形成了耗尽层（space charge region）（见图A）。

图A.零偏置热平衡下的PN结。电子与空穴的浓度分别用蓝线、红线表示。灰色区域是电中性。亮红色是正电区域，亮蓝色区域是负电性。底部显示电场。静电力作用于电子与空穴，以及其扩散取向。

耗尽区的电场与电子与空穴的扩散过程相反，阻碍进一步扩散。载流子浓度确定的平衡态在图A中表示为红线与蓝线。

图B.PN结在零偏置与热平衡状态下。底部绘出了电荷密度、电场、电压。

耗尽层的多数载流子已经全部耗尽，留下的电荷密度等于净掺杂水平。当平衡达到时，电荷密度近似显示为阶梯函数，耗尽层与中立区的边界相当陡峭。（见图B的Q(x)图）。耗尽层在PN结两侧有相同量的电荷，因此它向较少掺杂的一侧延展更远（图A与图B的n端）。

若施加在P區的電壓高於N區的電壓，称为正向偏置（forward bias）。

正向偏置下的PN结，表现为耗尽层变薄。在p端与n端均掺杂1e¹⁵/cm³水平，导致内在电势~0.59 V。耗尽厚度的降低可以从电荷分布曲线上推断。

在正向偏置电压的外电场作用下，N区的电子与P区的空穴被推向PN结。这降低了耗尽区的耗尽宽度。这降低了PN结的电势差（即内在电场）。随着正向电压的增加，耗尽区最终变得足够薄以至于内电场不足以反作用抑制多数载流子跨PN结的扩散运动，因而降低了PN结的电阻。跨过PN结注入p区的电子将扩散到附近的电中性区。所以PN结附近的电中性区的少数载流子的扩散量确定了二极管的正向电流。

仅有多数载流子能够在半导体材料中長距离移动。因此，注入P区的电子不能继续移动更远，而是很快与電洞复合。少数载流子在注入中性区后移动的平均距离称为扩散长度（diffusion length），一般來說僅有微米等级。

虽然跨过p-n结的电子在p-区只能穿透短距离，但正向电流不被打断，因为空穴（p-区的多数载流子）在外电场驱动下在向相反方向移动。从p-区跨越PN结注入n-区的空穴也具有类似性质。

正向偏置下，跨PN结的电流强度取决于多数载流子的密度，这一密度随正向偏置电压的大小成指数增加。这使得二极管可以导通正向大电流。

反向偏置的硅p–n结。

若施加在N區的電壓高於P區的電壓，这种状态称为PN结反向偏置（reverse bias）。由于p区连接电源负极，多数载流子(空穴)被外电场拉向负极，因而耗尽层变厚。n区也发生类似变化。并且随反向偏置电压的增加，耗尽层的厚度增加。从而，多数载流子扩散过PN结的势垒增大，PN结的电阻变大，宏观看二极管成为绝缘体。

反向偏置时形成极其微弱的漂移电流，電流由N區流向P區，并且这个电流不随反向电压的增大而变化，称为“反向饱和电流”（reverse saturation current）。这是因为反向电流是由少数载流子跨PN结形成的，因此其“饱和”值取决于少数载流子的掺杂密度。由于反向饱和电流很小，PN结处于截止状态，所以外加反向电压时，PN结相当于断路。

當加在PN結上的反向電壓超過一定數值時，PN结的電阻突然減小，反向電流急劇增大，這種現象稱為擊穿。电击擊穿分為雪崩擊穿和齊納擊穿且都是可逆的。發生热擊穿後，PN结不再具有單向導電性，導致二極管發生不可恢復的損壞。利用齊納擊穿製作的穩壓二極體，稱為齊納二極體。

当反向电压逐渐增大时，反向饱和电流不变。但是当反向电压达到一定值时，PN结将被击穿。在PN结中加反向电压，如果反向电压过大，位于PN结中的载流子会拥有很大的动能，足以和中性粒子碰撞使中性粒子分离出价电子而产生空穴-电子对。这样会导致PN结反向电流的急剧增大，发生PN结的击穿，因为被弹出的价电子又可能和其他中性粒子碰撞产生连锁反应，类似于雪崩，这样的反向击穿方式成为雪崩击穿（Avalanche breakdown）。摻雜濃度越低所需電場越強。當摻雜濃度非常高時，在PN结兩端加入弱電場就會使中性粒子中的價電子脫離原子的束縛，從而成為載流子。導致PN結的擊穿。這樣的擊穿被稱作齊納擊穿（Zener breakdown）。摻雜濃度越高所需要的電場越弱。一般小於6V的電壓引起的是齊納擊穿，大於6V的引起的是雪崩擊穿。

PN结的伏安特性曲线。图例：蓝色表示正向导通的状态；绿色为反向饱和电流的状态；黄色表示PN结被击穿的状态；红色部分表示即将被导通的状态

PN结的最大特性为单向导电性，反映到伏安特性曲线如右图。当正向电压达到一定值时，PN结将产生正向偏置，PN结被导通（图中蓝色部分）；当反向电压在一定范围内时，PN结产生微弱的反向饱和电流（图中绿色部分）；当反向电压超过一定值时，PN结被击穿（图中黄色部分）。

在PN结（两种半导体的交界处）会因为外加电压产生一定电荷积累，即结电容（${\displaystyle C_{j}}$）效应。根据成因分为“势垒电容”（${\displaystyle C_{b}}$）和“扩散电容”（${\displaystyle C_{d}}$）。结电容满足：

${\displaystyle C_{j}=C_{b}+C_{d}}$

当外加电压的时候，“耗尽层”的厚度发生变化，将会引起其电荷量的变化。从而产生等效的电容效应，即“势垒电容”${\displaystyle C_{b}}$。它与PN结面积、耗尽层宽度、半导体介电常数和外加电压都有关系。

当外加电压变化时，扩散区（参见上文所述扩散运动）内电荷的积累和释放过程将产生等效于电容的充放电过程，故等效于一个“扩散电容”${\displaystyle C_{d}}$。

由于PN结的单导电性，可以利用它作为基础制造半导体二极管、三极管等电子元件，例如常用的稳压二极管、光电二极管、发光二极管（）等。

• 半导体
• 异质结
• 二极管

• 赵凯华、陈熙谋. . 高等教育出版社. ISBN 9787040202021.
• 熊年禄等. . 北京邮电大学出版社. ISBN 978-7-5635-2227-9.
• David Halliday, Robert Resnick, Jearl Walker. . Wiley. ISBN 9780471758013.