电子迁移率
电子迁移率(英語:)是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子,在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中,另一个类似的物理量称为空穴迁移率()。人们常用载流子迁移率()来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。
外部链接
- The minority Carrier Lifetime in silicon wafer (页面存档备份,存于)
- semiconductor glossary entry for electron mobility (页面存档备份,存于)
- Resistivity and Mobility Calculator from the BYU Cleanroom
- Online lecture- Mobility (页面存档备份,存于) from an atomistic point of view
本文来源:维基百科:电子迁移率
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