外延_(晶体)
磊晶(英語:),是指一種用於半導體器件製造過程中,在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長(Epitaxial Growth),或指以外延技術成長出的結晶,有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。
「外延 (晶体)」的各地常用別名 | |
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中国大陸 | |
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參考來源
- 文獻
- Jaeger, Richard C. . 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1.
- 引用
外部連結
- epitaxy.net (页面存档备份,存于): a central forum for the epitaxy-communities
- Deposition processes (页面存档备份,存于)
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